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本发明提供了一种TrenchMOSFET器件的自对准的制备方法，包括：提供一衬底，包括若干接触孔区域；在所述衬底上形成若干栅极沟槽、栅极多晶硅层、第一接触孔柱、体区离子注入区、源区离子注入区、栅极氧化层以及层间介质层；以所述层间介质层为掩膜，刻蚀所述第一接触孔柱以及其底部的部分所述体区离子注入区，直至第一深度，并刻蚀部分所述栅极多晶硅层直至第一深度，以在所述接触孔区域与部分所述栅极多晶硅层中形成接触孔。本发明提供的技术方案进一步缩小了接触孔沿沟道方向尺寸。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117612942A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202311607585.9
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人上海芯导电子科技股份有限公司
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