HF60N02D 60A 20V TO-252-3L 深圳黑锋科技.pdf

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HF60N02D

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF60N02DusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery

protectionorinotherSwitchingapplication.

FeatureApplication

VDS20VID60ABatteryprotection

RDS(ON)5.5mΩ@VGS4.5VType4.1mΩ

（：）Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF60N02DTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage±12V

ID@TA25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V160A

ID@TA70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V142A

IDMPulsedDrainCurrent2210A

ESASinglePulseAvalancheEnergy356.2mJ

PD@TA25℃TotalPowerDissipation357W

TSTGOperatingandStorageTemperatureRange-55to175℃

TJOperatingandStorageTemperatureRange-55to175℃

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase2.63℃/W

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