HF60N02NF 60A 20V PDFN5X6-8L 深圳黑锋科技.pdf

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HF60N02NF

20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF60N02NFusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas2.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery

protectionorinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS20VID60ABatteryprotection

RDS(ON)6.0mΩ@VGS4.5V(Type4.8mΩ)

：Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF60N02NFTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage20V

VGSGate-SourceVoltage+12V

ID@Ta25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V60A

ID@Ta70℃ContinuousDrainCurrent,VGS@4.5V39A

IDMPulsedDrainCurrentnote1200A

EASSinglePulsedAvalancheEnergynote247.6mJ

PD@TA25℃StorageTemperatureRange37W

TJ.TSTGOperatingJunctionTemperatureRange-55to+175℃

RθJAThermalResistanceJunction-Ambient125℃/W

RθJCThermalResistance,JunctiontoCase4℃/W

专注电子行业10年，主营电源管理IC、MOS、方案配套，裕芯、拓微一级代理、并有国内多家原厂配合，为客户推荐最具性价比产品，降低成本，提高生产良率！

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