HF30P04NF 30A 40V PDFN5X6-8L 深圳黑锋科技.pdf

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HF30P04NF

-40VP-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheHF30P04NFusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgate

chargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaBattery

protectionorinotherSwitchingapplication.

FeaturesApplication

VDS-40VID-30ABatteryprotection

RDS(ON)32mΩ@VGS-10VType26mΩ

(:)Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

TypicalApplicationCircuit

HF30P04NFTypicalApplicationCircuit

AbsoluteMaximumRatings(TC25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnit

VDSDrain-SourceVoltage-40V

VGSGate-SourceVoltage±20V

ID@Tc25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-30A

ID@Tc100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@-10V-21A

IDMPulsedDrainCurrent-90A

EASSinglePulsedAvalancheEnergy3109mJ

IASAvalancheCurrent-30A

PD@Tc25℃TotalPowerDissipation435W

TSTGStorageTemperatureRange-55to150℃

TJOperatingJunctionTemperatureRange-55to150℃

RθJAThe

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