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- 2024-02-28 发布于四川
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本申请提供一种半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法，半导体测试器件包括衬底、设置于衬底表面的外延层、沟槽电极、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第一金属层、第二金属层；沟槽电极包括设置于外延层中的沟槽，设置于沟槽中的导电电极和电极绝缘层，沟槽具有沿第一方向延伸的第一侧壁、第二侧壁和一底壁，第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区及第四掺杂区设置于沟槽电极的一侧且与第一侧壁相连，第一金属层设置于第三掺杂区和第四掺杂区的上方；第一金属层用于接地；第二金属层设置于第二掺杂区的上方；第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117616561A
(43)申请公布日2024.02.27
(21)申请号202380011901.8(51)Int.Cl.
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