基于弱外延生长红荧烯薄膜的底接触晶体管的制备与性能改善.pdfVIP

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  • 2024-03-04 发布于江苏
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基于弱外延生长红荧烯薄膜的底接触晶体管的制备与性能改善.pdf

摘要

基于弱外延生长红荧烯薄膜的底接触晶体管的制备与性能改善

摘要

有机场效应晶体管(OFETs)在柔性电路、射频识别标签、传感器等领域具

有广泛的应用前景。近年来有机半导体的迁移率已经获得了大幅提高,但由于接

触电阻和沟道长度等因素的限制,有机场效应晶体管的工作频率至今仍然远低于

1GHz的目标。与此同时,在有机场效应晶体管的大规模应用中,由于精细化的

电极图案的工艺要求,底接触结构晶体管仍然是主要使用的结构之一。然而

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