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- 2024-02-28 发布于四川
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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法以及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：沿相对于衬底的竖直方向延伸的竖直结构；以及从竖直结构延伸且与衬底在竖直方向上间隔开的纳米片，纳米片具有沿第一取向的第一部分，第一部分的上表面和下表面中至少之一与衬底的水平表面不平行。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111463287A
(43)申请公布日
2020.07.28
(21)申请号20201
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