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本发明涉及一种可精准控制二维材料发光强度和峰位的发光器件，包括衬底、生长在衬底上的二氧化硅介质层，以及生长在二氧化硅介质层且相互隔离的三块硅薄膜区域，所述三块硅薄膜中的其中两块上分别生长一个金属电极，另一块与其中一块生长有金属电极的硅薄膜区域之间设置有一层二维材料。与现有技术相比，本发明制备得到的的器件制作方法简便、易于操作，能够精确控制二维材料发光强度和峰位，可以提供有利的光源，具有广泛的应用前景。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN109698260A
(43)申请公布日
2019.04.30
(21)申请号20191
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