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半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法.pdfVIP

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  • 2024-02-28 发布于四川
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半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法.pdf

    本申请提供一种半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法，半导体测试器件包括衬底、设置于衬底表面的外延层、沟槽电极、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区、第一金属层、第二金属层；其中，本申请提供的半导体测试器件，能够使电流路径不经过衬底、以及不经过第一掺杂区和第二掺杂区下方的外延层，消除了外延层电阻和衬底电阻等寄生电阻对迁移率的影响，实现准确表征半导体器件迁移率的目的。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117616560A

    (43)申请公布日2024.02.27

    (21)申请号202380011899.4(51)Int.Cl.

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