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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明公开了一种半导体装置，半导体装置包括：半导体基体；漂移层；环层；主沟槽部，主沟槽部设置于环层且在第一方向上延伸设置，主沟槽部包括多个栅极沟槽组和多个假栅沟槽部，多个栅极沟槽组在第二方向上间隔设置，相邻两个栅极沟槽组之间设置有至少一个假栅沟槽部，栅极沟槽组包括至少两个第二方向间隔设置的栅极沟槽部；连接沟槽部，连接沟槽部设置于环层且在第二方向上延伸设置，连接沟槽部位于半导体装置的有源区的边缘，连接沟槽部将每个栅极沟槽组中至少两个栅极沟槽部的至少一端连通。由此，不仅可以优化半导体装置的电场分布，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637829A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311556312.6
(22)申请日2023.11.20
(71)申请人海信家电集团股份有限公司
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