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- 2024-03-02 发布于四川
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公开了存储器件和包括该存储器件的存储装置。该存储器件可以包括第一电极、与第一电极间隔开的第二电极、在第一电极和第二电极之间的中间层、以及与中间层接触的界面层。中间层和界面层均可以具有双向阈值开关(OTS)特性。界面层的材料的阈值电压偏移可以大于中间层的阈值电压偏移(ΔVth)。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117641940A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202310417831.8
(22)申请日2023.04.18
(30)优先权数据
10-2022-0110326
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