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锌基氧化物半导体纳米晶的对称掺杂方法及其应用.pdfVIP

锌基氧化物半导体纳米晶的对称掺杂方法及其应用.pdf

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    本发明公开了锌基氧化物半导体纳米晶的对称掺杂方法及其应用，包括：制备表面羟基化的氧化锌纳米晶，其呈N型；通过对呈N型的表面羟基化的氧化锌纳米晶进行氨基硅烷功能化，实现氧化锌纳米晶从N型到P型的转换，获得呈P型的氧化锌纳米晶；本发明还可以进一步通过金属离子掺杂得到不同载流子浓度的氧化锌纳米晶，可以在很大范围内调节功函数。本发明所得纳米晶可应用于设计发光二极管，能够作为载流子传输层或多量子阱结构中的量子阱势垒层，通过溶液法制备多层结构，包括多量子阱发光层结构；该纳米晶进一步通过金属离子掺杂或合金化匹

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117623369A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311608355.4

    (22)申请日2023.11.29

    (71)申请人合肥工业大学

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