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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明公开了一种基于离子注入的折射率调控光栅及制造方法,涉及光学技术领域。该折射率调控光栅制造方法利用喷涂或旋涂方式制备光刻胶涂层,利用微纳图形制备技术光刻胶光栅掩模,利用反应离子束刻蚀或者反应离子刻蚀将掩模图形转移至光栅基底或者膜层中,最后利用离子注入完成深度调控折射率分布光栅制备。本发明采用离子注入技术对光栅结构进行折射率调节,基于单层刻蚀所形成的光栅结构可实现对折射率的非均匀调控,通过规避多层膜刻蚀简化了制备流程,由于少了多层刻蚀的复杂性,制备过程更为一致,减少了可能出现的误差,有助于提高
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117631111A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311851451.1
(22)申请日2023.12.28
(71)申请人中国工程物理研究院激光聚变研究
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