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形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统.pdf

    本申请案涉及形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构，所述堆叠结构包括通过介电槽结构彼此分离的块且各自包含按层布置的导电结构和绝缘结构的竖直交替序列。所述块中的至少一个包括体育场式结构，所述体育场式结构包括相对阶梯结构，每一阶梯结构具有包括所述层的边缘的梯级；以及填充沟槽，其竖直上覆于所述块中的所述至少一个的所述体育场式结构的水平边界且在所述水平边界内。所述填充沟槽包含：介电衬里材料，其处于所述体育场式结构的所述相对阶梯结构上及两个桥接区的内侧壁上；以及

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117641913A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311121617.4H10B41/35(2023.01)

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