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一种铁电存储器的制备方法.pdfVIP

一种铁电存储器的制备方法.pdf

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    本发明提供了一种铁电存储器的制备方法，属于半导体存储器技术领域。本发明将铁电存储器的制备集成进入传统CMOS后道工序中，在生长铁电存储器叠层材料，即下电极层、铁电层、上电极层之前，通过形成填充层的方法将金属互联线与铁电存储器隔离开，且后续的对准标制备以及铁电存储器的图形化，均用填充层作为刻蚀停止层，不仅解决了刻蚀污染与对准标缺失问题，而且不影响常规金属互连线和通孔的制备。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117641936A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202311555990.0

    (22)申请日2023.11.21

    (71)申请人北京大学

    地址100871

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