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- 2024-03-02 发布于四川
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本申请涉及一种全彩显示MicroLED芯片结构及制备方法,其包括衬底,以及在所述衬底上阵列排布的蓝光芯片,连续布置的三个蓝光芯片构成一个芯片单元;其中,所述芯片单元中的一个蓝光芯片上依次设置有第一布拉格反射镜层、红光量子点层和第二布拉格反射镜层,以形成显示红光的红光芯片;所述芯片单元中的另一个蓝光芯片上依次设置有第一布拉格反射镜层、绿光量子点层和第二布拉格反射镜层,以形成显示绿光的绿光芯片。本申请可以解决相关技术中量子点色彩转换全彩MicroLED方案存在低发光效率的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637967A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202311556279.7
(22)申请日2023.11.21
(71)申请人武汉大学
地址430000
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