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存储器装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-02 发布于四川
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存储器装置及其制造方法.pdf

    本申请涉及一种存储器装置及其制造方法。该存储器装置可包括：层叠结构，其包括依次层叠的漏极选择线、字线和源极选择线；主插塞，其在层叠结构的垂直方向上延伸，并且在该主插塞的上区域的中央部分中包括子源极层孔；分离图案，其被配置为在垂直方向上分离主插塞；以及源极线，其层叠在层叠结构上并且被配置为填充子源极层孔。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117641931A

    (43)申请公布日2024.03.01

    (21)申请号202310403834.6

    (22)申请日2023.04.14

    (30)优先权数据

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