原创力文档- 11
- 0
- 约8.94千字
- 约 8页
- 2024-03-02 发布于四川
- 举报
本发明提供了一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法，包括如下步骤：将清洗后的衬底片上片至刻蚀后的外延炉反应腔室内，烘焙外延炉，之后通入氢气对外延炉反应腔室吹扫；随后在衬底片上生长外延层；外延层生长过程为：第一阶段：在1050～1060℃下以5～6μm/min的生长速度进行生长；第二阶段：在1040～1050℃下以2～3μm/min的生长速度继续生长外延层；第三阶段：在1030～1040℃下以低于1μm/min的生长速度继续生长补足外延层至目标厚度；外延层生长结束后降温取出外延片。本发明所述的制备
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117626425A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202410108386.1H01L29/04(2006.01)
文档评论（0）