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- 2024-03-02 发布于四川
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本发明提供一种图像传感器及其形成方法，通过在光电二极管表面形成复合钉扎层，靠近光电二极管的P型势垒层将靠近衬底表面的N型暗电流收集层完全耗尽，从而在N型暗电流收集层内形成一个向下的电场，以隔离开光电二极管与N型暗电流收集层，向下的电场可以有效阻挡衬底表面暗电流电子的向下扩散，因此衬底表面钉扎所需要的P型势垒层浓度可以明显降低，从而在较低的钉扎层浓度需求的情况下，降低界面暗电流对光电二极管的影响，以满足现有小尺寸像素的设计需求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117637774A
(43)申请公布日2024.03.01
(21)申请号202210973956.4
(22)申请日2022.08.15
(71)申请人格科微电子（上海）有限公司
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