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碳纳米管场效应晶体管的制备与性能测量的中期报告

一、研究背景与研究目的

碳纳米管（Carbonnanotubes，CNTs）是一种由碳原子组成的管状结构，具有优异的力学、电子、光学性能，是当前研究的热点之一。碳纳米管场效应晶体管（CarbonNanotubeField-EffectTransistor，CNTFET）因具有高频、低功耗、高灵敏度等优异特性，在纳米电子学、生物医学检测等领域具有极大的应用潜力。本研究旨在制备碳纳米管场效应晶体管并对其性能进行测试，为其后续在应用领域的推广提供理论依据和实验基础。

二、研究方法

本研究采用电子束光刻技术制备了Ti/Au/SiO2/Si基底上的CNTFET晶体管样品。在制备过程中，先在SiO2上制备了源、漏极金属电极，再利用光刻技术制备了碳纳米管，并通过电子束蒸发制备了金属栅极。接下来使用原子力显微镜（AtomicForceMicroscopy，AFM）和扫描电子显微镜（ScanningElectronMicroscopy，SEM）对样品进行形貌和微观结构的研究，以验证制备结果。最后，通过测量电压-电流曲线（I-V曲线）和输出特性等对CNTFET晶体管进行性能测试，以验证其电学性能。

三、研究进展

通过电子束光刻技术成功制备了Ti/Au/SiO2/Si基底上的CNTFET晶体管样品，并通过AFM和SEM微观观察其形貌和结构验证了样品的制备结果。接下来进行了电学性能测试，测量了CNTFET晶体管的电压-电流曲线和输出特性，并对测试结果进行了分析。首先，由测试结果可以确定CNTFET晶体管的基本性质，例如阈值电压、最大漏电流等参数。然后，通过对输出特性的分析，我们可以了解CNTFET晶体管的电学特性表现情况，并对其在各种应用场景下的优劣进行比较。

四、研究展望

本研究初步验证了碳纳米管场效应晶体管的性能表现，并为其后续应用提供了基础。未来，我们将继续深入研究碳纳米管的制备和优化技术，探索CNTFET晶体管在不同应用场景下的性能表现和优劣，并寻求更广泛的应用领域。同时，我们还将重点关注CNTFET晶体管的稳定性和可靠性，为其实际应用的可行性提供保障。