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关于MOSFET驱动电阻的选择

等效驱动电路:

VCC

DRIVEo—RghQ—Legs

DRIVEo—

RghQ

—Legs

L为PCB走线电感，根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素，取

L=Length+10(nH)，其中Length单位取mm。

Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号为12V峰值的方波。

Cgs为MOSFET栅源极电容，不同的管子及不同的驱动电压时会不一样，这儿取1nF。

VL+VRg+VCgs=12V

(?一、

令驱动电流Id:=q击VCgs(t)

得到关于Cgs上的驱动电压微分方程：

fd

石VCgs(t)R+VCgs(t)-Vdr=0

\Gt J

用拉普拉斯变换得到变换函数：G:=——一—

LCS[S2+L1C+竽]

这是个3阶系统，当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡，有两个相同实根时是临界阻尼震荡，当有虚根时是欠阻尼震荡，此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形，这是我们不希望看到的，因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态，考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。

LC

根据以上得到2CCRg，因此根据走线长度可以得到Rg最小取值范围。

分别考虑20mm长和

分别考虑20mm长和70mm长的走线:

Rg70=17.89。，

以下分别是电压电流