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一种低温无压烧结的高导热银膏及其制备方法.pdfVIP

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  • 2024-03-06 发布于四川
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一种低温无压烧结的高导热银膏及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种低温无压烧结高导热银膏及其制备方法，所述的低温无压烧结高导热银膏包括以下质量百分比的组分：纳米片状银粉10～100％，微米片状银粉0～70％，镀铜/银金刚石0～50％，溶剂20～10％，分散剂0～5％。制备方法包括粉体预混、有机体系制备和三辊研磨等关键步骤。本发明生产的高导热银膏烧结后其剪切力不低于20MPa，导热率不低于100W/(m·K)。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117644201A

    (43)申请公布日2024.03.05

    (21)申请号202311506285.1

    (22)申请日2023.11.13

    (71)申请人有研工程技术研究

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