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光伏发电原理及光伏产业链;1.光伏发电历史简介
2.太阳能发电优缺点
3.光伏发电原理
4.光伏产业链简介
5.太阳能发电实际应用;1893年法国科学家贝克勒尔发现“光生伏打效应〞,即“光伏效应〞。
1904:爱因斯坦对光伏效应给出了理论解释
1932年奥杜博特和斯托拉制成第一块“硫化镉〞太阳电池。
1941年奥尔在硅上发现光伏效应。
1954年恰宾和皮尔松在美国贝尔实验室,首次制成了实用的单晶太阳电池,效率为6%。同年,韦克尔首次发现了砷化镓有光伏效应,并在玻璃上沉积硫化镉薄膜,制成了第一块薄膜太阳电池。;1980年单晶硅太阳电池效率达20%,砷化镓电池达22.5%,多晶硅电池达14.5%,硫化镉电池达9.15%。
1986年美国建成6.5MWp光伏电站。
1997年美国提出“克林顿总统百万太阳能屋顶方案〞,在2021年以前为100万户,每户安装3~5kWp。
1997年日本“新阳光方案〞提出到2021年生产43亿Wp光伏电池
1998年单晶硅光伏电池效率达25%。荷兰政府提出“荷兰百万个太阳光伏屋顶方案〞,到2021年完成。;光伏发电的光伏电的价格、组件效率,系统寿命和本钱变化情况;自1996年以来,世界光伏发电高速开展。表现在几种主要太阳电池效率不断提高,总产量年增幅保持在30%~40%,1998年已达200MWp/a;应用范围越来越广,尤其是光伏技术的屋顶方案,为光伏发电展现了无限光明的前途。1998年在维也纳第二届全球光伏技术大会上,会议主席施密特教授指出:“光伏将在21世纪上半纪取代原子能而成为全球能源,唯一的问题是2030年还是2050年最终实现〞。如果施密特教授的预言得以实现,那么太阳能世纪将在21世纪到来。;2.1优点:
取之不尽用之不竭
平安可靠,无噪声,无污染排放外,绝对干净
不受资源分布地域的限制,可利用建筑屋面的优势
无需消耗燃料和架设输电线路即可就地发电供电
能源质量高
建设周期短,获取能源花费的时间短
太阳能发电没有运动部件不易损坏,维护简单;2.2缺点:
照射的能量分布密度小,即要占用巨大面积,一般情况下,太阳强度为1000W/m2
地面应用时有间歇性,在晚上或阴雨天不能或很少发电,受四季、昼夜及阴晴等气象条件影响
目前价格较高,为常规电价的5-15倍
;3.1名词解释
单晶硅:硅的单晶体,晶核长成晶面取向相同的晶粒具有根本完整的点阵结构的晶体
多晶硅:晶核长成晶面取向不同的晶粒,那么这些晶粒结合起来,就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料,多晶硅与单晶硅的差异主要表现在力学性质方面。
非晶硅:是一种直接能带半导体,它的结构内部有许多所谓的“悬键〞,也就是没有和周围的硅原子成键的电子,这些电子在电场作用下就可以产生电流,并不需要声子的帮助;导带〔conductionband〕:金属都有着被电子局部占据的宽能带,其中的电子填充情况容易因电场作用而改变,因此表现出良好的导电性。即为导带
价带〔valenceband〕:对绝缘体或半导体而言,能带系列那么全被电子恰好填满,其中最高的满带称为价带。价带之上经过一定宽度的禁带过渡才是空着的导带。;绝缘体的过渡禁带很宽,电场或光子很难改变其能带填充情况,因而不能产生电流或光活性;
半导体的过渡禁带较窄,可以借助杂质引入或光/热激发,使少数电子跃迁到空导带,或价带中出现少数空穴,电子或空穴可在未被填满的能带中运动,从而表现出一定的导电性和光热活性、
少子寿命:对于p型硅片,少子就是电子,所谓少子寿命就是当一定波长的光照射硅片后,硅片内就会出现电子-空穴对的别离,作为少数载流子的电子由于数量较少,在扩散过程中就会逐渐被复合掉,从产生到复合的时间即为少子寿命,一般单位为us〔微秒〕。;N型半导体:导电的电子密度超过流动的空穴密度的非本征半导体。也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。
在纯洁的硅晶体中掺入Ⅴ族元素〔如磷、砷、锑等〕,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电〔Negative〕的电子载流子,称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子〔自由电子〕的浓度就越高,导电性能就越强。;N型:ⅤA族元素掺杂
;P型半导体:流动的空穴密度超过导电的电子密度的非本征半导体。也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。
在纯洁的硅晶体中掺入三价元素〔如硼〕,使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴
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