电子和空穴运动与复合精品课件.pptxVIP

漂移运动当电场施加到半导体上时，载流子一方面受到电场力的作用，沿电场力方向定向运动，另一方面，载流子仍不断遭受到散射，使载流子的运动方向不断改变。载流子在电场力的作用下的加速运动，也只有在两次散射之间才存在，经散射后，它们又失去了获得的附加速度。从而，在外力和散射的双重影响下，使得载流子以一定的平均速度（称为漂移速度）沿力的方向漂移，形成电流。电场产生的漂移速度叠加在热运动速度上第2页/共27页第1页/共27页

载流子的漂移电流载流子漂移的结果是在半导体内部产生电流。该电流称为漂移电流，其数学表达式为：电子的漂移速度空穴的漂移速度电子的浓度空穴的浓度A垂直电流方向任意平面的面积电流密度定义为第3页/共27页第2页/共27页

载流子的迁移率在电场不太强时，载流子的漂移速度正比与电场电子的迁移率，空穴的迁移率迁移率的单位漂移电流密度称为电导率，单位S/cm称为电阻率，单位第4页/共27页第3页/共27页

载流子的迁移率迁移率是表示电子和空穴漂移的重要参数，其大小不仅关系到导电能力的强弱，而且直接决定着载流子运动的快慢，它对半导体器件工作的速度有直接的影响室温下轻掺杂半导体中电子和空穴的迁移率第5页/共27页第4页/共27页

载流子的迁移率两次散射之间的平均自由时间载流子散射的机制载流子迁移率与载流子所受到的散射有关。晶格散射：与晶格原子碰撞电离杂质散射：与杂质原子碰撞第6页/共2