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本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，制造方法包括：提供一衬底；形成多个虚拟栅极，核心区与输入输出区上的虚拟栅极的尺寸相同且间隔相同；在核心区的第一源端及第一漏端之间具有一个虚拟栅极，在输入输出区的第二源端及第二漏端之间具有至少两个虚拟栅极；利用虚拟栅极形成栅极结构，并在形成核心晶体管及输入输出晶体管的过程中，调整第二源端及第二漏端之间的部分鳍片的电导率。本发明中，通过使输入输出晶体管具有至少两个虚拟栅极且其虚拟栅极与核心晶体管的虚拟栅极具有相同尺寸及相同间隔，为形成栅极结构的过程中提供
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672968A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211008883.1
(22)申请日2022.08.22
(71)申请人上海集成电路装备材料产业创新中
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