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本发明公开了一种45度硅反射镜及其制造工艺,涉及硅反射镜制造技术领域;包括如下步骤:S1:采用硅晶圆衬底,通过碱性腐蚀液在硅片正面腐蚀处理,得到硅晶圆平表面和V形槽;S2:按照S1的方式对硅片背面进行同样的腐蚀处理,但需要使正面的V形槽与背面的V形槽错位;S3:沿着V槽底部朝着垂直于硅晶圆平表面的方向对硅片进行切割处理,得到单元片。本发明降低了技术难度和成本,提高了器件的性能,可靠性;硅基材料的芯片上制作的反射镜,它具有尺寸小,产出率高,成本低、重复性好、耐用性强、热学性能稳定等的优点;由于是4
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117665993A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311704869.X
(22)申请日2023.12.13
(71)申请人矽安光电科技(南通)有限公司
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