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- 2024-03-09 发布于四川
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本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，其中，碳化硅衬底的正面形成N型漂移区，N型漂移区上形成有第一P型多晶硅掺杂层、第二P型多晶硅掺杂层、第一P型屏蔽区和第二P型屏蔽区，且第一P型多晶硅掺杂层和第二P型多晶硅掺杂层与N型漂移区之间形成异质结，第一P型多晶硅层形成于第一P型多晶硅掺杂层上，第三P型多晶硅层形成于第二P型多晶硅掺杂层上，且P型多晶硅层均有绝缘介质层包裹，从而消除了器件内的NPN寄生三极管，杜绝了闩锁效应的发生，并通过在第一P型多晶硅层和第三
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673159A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202410133173.4
(22)申请日2024.01.31
(71)申请人深圳天狼芯半导体有限公司
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