原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请属于半导体材料制备技术领域，公开了一种AlN薄膜及其制备方法和应用，所述方法包括步骤：制备包括依次叠合的硅衬底、图形化AlN层、第一AlN层和第一SiO2层的第一外延片；制备包括依次叠合的蓝宝石衬底、GaN层、第二SiO2层的第二外延片；把第一SiO2层和第二SiO2层键合形成键合SiO2层，从而得到键合外延片；去除键合外延片的硅衬底；把键合外延片中的图形化AlN层去除；在第一AlN层远离键合SiO2层的一面生长第二AlN层；对键合外延片中的键合SiO2层进行剥离处理，以剥离出由第一AlN
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117660879A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311679219.4H01L21/02(2006.01)
(22
文档评论（0）