一种减少IO氧化硅去除过程中介电层损失的方法.pdfVIP

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2024-03-09 发布于四川
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一种减少IO氧化硅去除过程中介电层损失的方法.pdf

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本发明提供一种减少IO氧化硅去除过程中介电层损失的方法，位于硅基底上的多个相互间隔排布的栅结构；栅结构底部与硅基底之间的IO氧化硅层；沉积刻蚀停止层；栅结构由多晶硅结构、第一硬掩膜层和第二硬掩膜层组成；沉积第一介电层以填充栅结构之间的空间；对第一介电层进行回刻；沉积氮化硅层以连续覆盖第一介电层和被暴露出的刻蚀停止层；在氮化硅层上沉积第二介电层；非选择性回刻以去除第二介电层和被第二介电层覆盖的栅结构、侧墙、刻蚀停止层及氮化硅层；去除剩余的多晶硅结构；去除IO氧化硅层。本发明在第一介电层上形成氮化硅

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117673014A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202211022405.6

(22)申请日2022.08.25

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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