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2024-03-09 发布于四川
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本申请案涉及微电子装置以及相关存储器装置、电子系统及方法。一种微电子装置包括：基底结构，其包括：有源区，其个别地包括半导体材料；及隔离区，其与所述有源区水平交替且个别地包括绝缘材料；外延半导体材料，其在所述有源区中的一者的所述半导体材料上，所述外延半导体材料基本上局限于所述有源区中的所述一者的水平面积内且从与所述有源区中的所述一者水平相邻的所述隔离区中的两者的水平边界偏移；栅极介电材料，其在所述外延半导体材料、未被所述外延半导体材料覆盖的所述有源区中的所述一者的所述半导体材料的部分及所述隔离区中

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117673085A

(43)申请公布日2024.03.08

(21)申请号202311140260.4

(22)申请日2023.09.05

(30)优先权数据

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