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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：形成横跨器件鳍部的伪栅结构，包括位于器件鳍部顶部上的牺牲鳍部、位于牺牲鳍部顶部上的阻挡层以及覆盖阻挡层顶部、牺牲鳍部和阻挡层的侧壁及器件鳍部部分侧壁的牺牲栅极；去除牺牲栅极和牺牲鳍部，形成暴露出阻挡层和器件鳍部的栅极开口，阻挡层与器件鳍部之间间隔悬空设置；在栅极开口露出的器件鳍部顶部和侧壁以及阻挡层的表面形成栅介质层；在栅介质层上形成位于第一区域的栅极开口内的第一栅极材料层、以及位于第二区域的栅极开口内的第二栅极材料层，第一栅极材料层和第二栅极材料层具有不同
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117672971A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202211011550.4
(22)申请日2022.08.23
(71)申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限
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