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本发明提供的一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的方法，包括下述步骤：获取版图，确定目标管；获取所述目标管的两个目标电极之间的至少两个电路路径；识别所述至少两个电路路径的标识；存在连接关系的电路路径具有相同的标识；基于所述至少两个电路路径之间的标识是否相同，判定所述目标管的两个目标电极之间是否存在泄漏路径。该技术方案的有益效果在于，可以全面的找到泄露路径，并对泄露风险程度进行分析。本发明还提供了一种快速识别场效应晶体管泄漏路径的装置，该装置利用识别场效应管泄露路径的方法，实现场效应晶体管泄露路径的快
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117665525A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202410108983.4
(22)申请日2024.01.26
(71)申请人杭州广立微电子股份有限公司
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