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一种HEMT功率芯片封装结构.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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一种HEMT功率芯片封装结构.pdf

    本实用新型公开了一种HEMT功率芯片封装结构，包括底壳，所述底壳的内部安装有衬底，所述衬底的顶部安装有HEMT芯片本体；所述底壳的顶部卡扣连接有顶壳，所述HEMT芯片本体上设有多个电极引脚，所述底壳的底部内壁安装有若干个等距排列的第一散热片；本实用新型中的第一散热片能够使热量能够从衬底中传导到散热片，并通过第一散热片之间的缝隙以及矩形开口向外排出，同时在具备外部风力散热的条件下，能够增加热量的排出，增加衬底的散热效率。第二散热片能够插入第一散热片的缝隙中，形成衬底底部的完整散热片，增加散热片贴合

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220569667U

    (45)授权公告日2024.03.08

    (21)申请号202322272827.5

    (22)申请日2023.08.23

    (73)专利权人江西万年晶半导体有限公司

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