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本申请提供一种超级结深沟槽器件及制作方法，该方法包括：形成位于衬底上的第一掺杂类型外延层；形成位于外延层上的掩膜层，掩膜层包括由下而上层叠的第一氧化物层、氮化物层、第二氧化物层；形成从掩膜层的上表面向下延伸至外延层内的沟槽；去除第二氧化物层，同时去除沟槽两侧的第一氧化层，沟槽的开口处出现顶部尖角；对顶部尖角倒角设置，使沟槽开口与第一氧化物层过渡连接。本申请中沟槽开口处的顶部尖角倒角设置，能够去除沟槽顶端的尖角损伤区，避免出现漏电通道，提高器件可靠性；并且，顶部尖角倒角拓宽了沟槽开口，利于酸性溶液
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117673120A
(43)申请公布日2024.03.08
(21)申请号202311602806.3
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人杭州富芯半导体有限公司
地址3
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