毕业设计（论文）光伏材料硅片的表面清洗专业毕业论文..docxVIP

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课程设计论文（设计）

题

目:

硅片的表面清洗

姓

名:

学

院:

光伏工程学院

专

业:

光伏材料加工与应用技术

班

级:

学

号:

指导教师:

目 录

摘要 1

引言 2

化学清洗方法 2

实验过程和表征方法 3

结果与讨论 4

化学清洗和除气对Si衬底的表面形貌和杂质的影响 4

1000℃退火后Si表面的XPS研究 8

结论 10

致谢 12

参考文献 13

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硅片的表面清洗

摘要:本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法，它主要包括H2SO4：H202溶液清洗和HF：c2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RI-IEED)等技术进行表征。结果表明，运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染，我们提出用无水乙醇(C2H5OH)来保护H-Si表面。300oC除气前后XPS的对比结果表明，清洗后的Si表面不存在B，但吸附少量F，以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES)，可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层，经