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碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2024-03-09 发布于四川
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碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件及其制造方法.pdf

    提供一种碳化硅单晶衬底、碳化硅半导体器件及其制造方法。碳化硅单晶衬底具有第一主表面和与第一主表面相反的第二主表面。第一主表面包括中心正方形区域和外部正方形区域。当从厚度方向观察时，中心正方形区域和外部正方形区域中的每个都具有15mm长度的边。第一主表面具有不小于100mm的最大直径。碳化硅单晶衬底具有不大于5μm的TTV。由中心正方形区域中的LTIR除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于0.8且不大于1.2。由外部正方形区域中的LTV除以中心正方形区域中的LTV获得的值不小于1且不大于2。提

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111029401A

    (43)申请公布日

    2020.04.17

    (21)申请号20191

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