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半导体器件模拟然而，为了避免混淆，还需要一个附加条件。通常，人们假设欧姆接触是理想导电的，即意味着在此边界上电压降为零。对于电容或电感负载，静电势的时间导数以及总电流将出现在边界条件中。已知外部负载电路时，只要具备少量的电路理论知识，就能导出其边界条件，在此我们略过这些内容。从数学意义上，静电势有很复杂的时间相关的边界条件。?第55页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟我们尚需要载流子浓度的条件。从物理观点看，上述条件仍可从热平衡(对应于无限的表面复合速度)以及欧姆接触的空问电荷为零来确定。两个条件可重新整理为电子和空穴的Dirichlet条件。?第56页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟综合上述，在一定的条件下(纯电压驱动)，对于欧姆接触?D0，我们有静电势的Dirichlet边界条件以及载流子浓度的Dirichlet条件。对于更一般的应用(电流驱动或外部负载电路)，静电势的边界条件是积分形式。Schottky接触边界?Ds:Schottky接触的物理学很复杂很困难。为了模拟目的，一般用相当简化的模型。在电压驱动的情况下，我们假设静电势的Dirichlet边界条件：仍表示外加偏置；表示Schottky势垒高度，这是构成金属与半导体Schottky接触的特征量,数值通常是0.5V到1V的量级。仍是内建势.第57页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟对于连续性方程，要想得到物理合理且模型仍很简单的边界条件更加困难。Schottky接触的载流子浓度一般与流过该接触的电流密度有关。有文献提出了有关热离子发射与扩散的相互作用的理论研究，并导出下述边界条件：n表示?D上的单位法向矢量;?vn，vp表示在接触处电子、空穴的热电子复合速度。注意，对于无限的热电子复合速度，(5.1-15)、(5.1-16)式简化为(5.1-12)、(5.1-13)式。第58页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟为了FET的模拟，已假设vn及vp为零，这等效于没有电流通过Schottky接触。上述假设乍一看似乎是合理的，因为在大多数实际工作情况下，schottky接触是反偏的，其中流过的电流相当小。然而，在接触的邻近区域，载流子浓度会有不切实际的减小，这将引起数值问题。显然，(5.1-17)和(5.1-18)式仅适用于反偏接触。第59页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟(4)作为迁移率模型，下一个效应将考虑高电场下漂移速度的饱和。由载流子加热对漂移速度因而对迁移率影响广泛使用的表示式为：(3.2-14)其中硅在300K时的临界电场以及指数βn,p可在有关文献中找到。详见S.塞尔勃赫书中表4.1-4。第23页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟更精确的公式为(3.2-15)其中：表示电子和空穴的饱和速度值。对于电子βn=2，对于空穴βp=1，由下式可求得(3.2-16)(3.2-17)第24页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟2、载流子产生一复合模型在基本方程组中的连续性方程里，我们看到了电子和空穴的产生率Gn和Gp以及电子和空穴的复合率Un和Up这四个物理参数，这样的参数需要用一定的模型公式来确定。半导体电子和空穴的复合，大致分为直接复合和间接复合。直接复合是电子在导带和价带间的直接跃迁。一般地说，带宽度小的材料直接复合起主要作用。间接复合是非平衡载流子通过复合中心的复合，称为SRH（Shockley-Read-Hall）复合。实验表明，硅、锗等半导体材料间接复合起主要作用。第25页，课件共83页，创作于2023年2月半导体器件模拟当材料中只有一种复合中心能级时，其净复合率为：(3.2-18)其中：rn、rp分别为杂质能级的电子俘获系数和空穴俘获系数，反映它们俘