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本发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件制备方法包括：提供一衬底，衬底内有沟槽，沟槽内壁有第一场氧化层，沟槽内有第一多晶硅层，第一多晶硅层超出衬底的部分覆盖于第一场氧化层顶面，衬底表面覆盖有初始掩膜层；回刻蚀第一多晶硅层以暴露出第一场氧化层的顶面；缩小初始掩膜层的工艺窗口至覆盖第一场氧化层的全部顶面；第一次腐蚀第一多晶硅层及第一场氧化层至沟槽侧壁保留部分第一场氧化层；第二次腐蚀所述第一多晶硅层至及第一场氧化层至第一多晶硅层的表面与第一场氧化层的表面基本平齐。上述技术方案通过两次腐蚀使第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690798A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202410009538.2
(22)申请日2024.01.03
(71)申请人上海积塔半导体有
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