一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法.pdfVIP

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2024-03-13 发布于四川
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一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法.pdf

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一种通过低温预处理表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法，涉及一种表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的方法。本发明是要解决目前缺乏表征VDMOS器件氢杂质对NBTI影响的技术问题。本发明深入研究低温预处理对硅基VDMOS器件NBTI的影响机理研究，构建器件Si/SiO2界面处界面态和氧化物电荷缺陷演化模型，阐明低温预处理改善器件性能机理；明晰负偏置温度不稳定机制，建立低温预处理和负偏置温度不稳定性的内在关系，构建低温预处理对负偏置温度不稳定影响模型并检验模型的准确性，对提升VDMOS器

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117686869A

(43)申请公布日2024.03.12

(21)申请号202311701683.9

(22)申请日2023.12.12

(71)申请人黑龙江省原子能研究院

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