原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种横向离子掺杂的注入方法及其终端结构，包括：在碳化硅晶圆生长掩膜介质层，并对所述掩膜介质层上旋涂光刻胶的碳化硅晶圆进行光刻工艺；在靠近主结区一侧的光刻胶处通过光刻形成小孔，根据横向钻蚀的方法通过所述小孔向靠近截止环方向进行钻蚀形成倾角台面，并去除光刻胶；基于所述倾角台面，进行多次离子注入，形成从主结区至截止环方向由深逐渐变浅的横向变掺杂区，然后去除掩膜介质层。本发明通过掩膜倾角台面和注入能量和剂量的特殊设计，在主结至边缘区域内形成可控的深度与浓度的横向变掺杂，解决了高压功率半导体器件终端耐压问
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690783A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202211103943.8H01L29/06(2006.01)
文档评论（0）