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本公开提供了一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括接地层、堆叠结构以及导电柱。接地层包括下部半导体材料层、回填半导体材料层及上部导电层。堆叠结构设置于接地层上，且包括沿着第一方向交替堆叠的绝缘层及多个导电层。导电柱沿着第一方向贯穿堆叠结构并延伸至接地层中。导电柱包括彼此连接的底部本体部、中间本体部及插塞。接地层在不同于第一方向的第二方向上，底部本体部重叠于上部导电层的部分具有第一尺寸，中间本体部重叠于堆叠结构的最底层绝缘层的部分具有第二尺寸，第一尺寸大于第二尺寸。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117693201A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202211206593.8
(22)申请日2022.09.29
(30)优先权数据
17/930,4502022
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