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本发明涉及半导体器件。本发明提供包含防止氢侵入沟道区域的氢捕获区域的半导体器件。半导体器件包含：氧化物绝缘层；氧化物绝缘层之上的氧化物半导体层；覆盖氧化物半导体层的、氧化物绝缘层及氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的栅电极；和覆盖栅电极的、栅极绝缘层及栅电极之上的保护绝缘层，栅极绝缘层包含与栅电极重叠的第1区域、和与栅电极不重叠并与保护绝缘层相接的第2区域，氧化物绝缘层包含与栅电极重叠的第3区域、和与栅电极及所述氧化物半导体层不重叠并与栅极绝缘层相接的第4区域，氧化物半导体层的源极区
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117690975A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311098309.4H01L29/06(2006.01)
(22)申请日2023.08.
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