氮化物衬底材料的研究与开发.docxVIP

考虑到产业化发展的需要，衬底材料的制备要求简洁，而且其成本不宜很高。

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二、InN的外延衬底材料的研究与开发

InN的外延衬底材料就现在来讲有广泛应用的，其中有：InN；α－l2O3(0001)；6H-SiC；Mgl2O4(111)；LilO2和LiGO2；MgO；Si；Gs(111)等。

Ⅲ-Ⅴ族化合物，例如，GN、lN、InN，这些材料都有二种结晶形式：一种是立方晶系的闪锌矿结构，而另一种是六方晶系的纤锌矿结构。以蓝光辐射为中心形成研究热点的是纤锌矿结构的氮化镓、氮化铝、氮化铟，而且主要是氮化镓、氮化铝、氮化铟的固溶体。这些材料的禁带是直接跃迁型，因而有很高的量子效率。用氮化镓、氮化铝、氮化铟这三种材料按不同组份和比例生成的固溶体，其禁带宽度可在2.2eV到6.2eV之间变化。这样，用这些固溶体制造发光器件，是光电集成材料和器件发展的方向。

（1）InN和GN

因为异质外延氮化物薄膜通常带来大量的缺陷，缺陷损害了器件的性能。与GN一样，如果能在InN上进行同质外延生长，可以大大减少缺陷，那么器件的性能就有巨大的飞跃。

自支撑同质外延GN,lN和lGN衬底是目前最有可能首先获得实际应用的衬底材料。

（2）蓝宝石(α-l2O3)和6H-SiC

α-l2O3单晶，即蓝宝石晶体。(0001)面蓝宝石是目前最常用的InN的外延衬底材料。其匹配方向为：InN(001)//α－l2O3(001),InN[110]//α－l2O3[100][11,12]。因为衬底表面在薄膜生长前的氮化中变为lON,InN绕α－l2O3(0001)衬底的六面形格子结构旋转30°，这样其失匹配度就比原来的29%稍有减少。虽然(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%，但是由于其六方对称，熔点为2050℃，最高工作温度可达1900℃，具有良好的高温稳定性和机械力学性能，加之对其研究较多，生产技术较为成熟，而且价格便宜，现在仍然是应用最为广泛的衬底材料。

6H-SiC作为衬底材料应用的广泛程度仅次于蓝宝石。同蓝宝石相比，6H-SiC与InN外延膜的晶格匹配得到改善。此外，6H-SiC具有蓝色发光特性，而且为低阻材料，可以制作电极，这就使器件在包装前对外延膜进行完全测试成为可能，因而增强了6H-SiC作为衬底材料的竞争力。又由于6H-SiC的层状结构易于解理，衬底与外延膜之间可以获得高质量的解理面，这将大大简化器件的结构；但是同时由于其层状结构，在衬底的表面常有给外延膜引入大量的缺陷的台阶出现。

（3）镁铝尖晶石(Mgl2O4)

Mgl2O4晶体，即铝酸镁晶体。Mgl2O4晶体是高熔点(2130℃)、高硬度（莫氏8级）的晶体材料，属面心立方晶系，空间群为Fd3m,晶格常数为0.8085nm。Mgl2O4晶体是优良的传声介质材料，在微波段的声衰减低，用Mgl2O4晶体制作的微波延迟线插入损耗小。Mgl2O4晶体与Si的晶格匹配性能好，其膨胀系数也与Si相近，因而外延Si膜的形变扭曲小，制作的大规模超高速集成电路速度比用蓝宝石制作的速度要快。此外，国外又用Mgl2O4晶体作超导材料，有很好的效果。近年来，对Mgl2O4晶体用于GN的外延衬底材料研究较多。由于Mgl2O4晶体具有良好的晶格匹配和热膨胀匹配，(111)面Mgl2O4晶体与GN晶格的失配率为9%，具有优良的热稳定性和化学稳定性，以及良好的机械力学性能等优点，Mgl2O4晶体目前是GN较为合适的衬底材料之一，已在Mgl2O4基片上成功地外延出高质量的GN膜，并且已研制成功蓝光LED和LD。此外，Mgl2O4衬底最吸引人之处在于可以通过解理的方法获得激光腔面。

在前面的研究基础上，近来把Mgl2O4晶体用作InN的外延衬底材料的研究也陆续见之于文献报道。其之间的匹配方向为：InN(001)//Mgl2O4(111)，InN[110]//Mgl2O4[100]，InN绕Mgl2O4(111)衬底的四方、六方形格子结构旋转30°。研究表明(111)面Mgl2O4晶体与InN晶格的失配率为15%，晶格匹配性能要大大优于蓝宝石，(0001)面蓝宝石与InN晶格的失配率高达25%。而且，如果位于顶层氧原子层下面的镁原子占据有效的配位晶格位置，以及氧格位，那么这样可以有希望将晶格失配率进一步降低至7%，这个数字要远远低于蓝宝石。所以Mgl2O4晶体是很有发展潜力的InN的外延衬底材料。

（4）Lil