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本发明提供了一种在碳化硅表面镀膜的方法，包括：吸附纳米金刚石步骤：对碳化硅基材表面进行清洗，清洗后吹干碳化硅基材表面，得到清洁干净的样品；将样品放入等离子清洁机中，使样品表面附带上静电，附带上静电后将其浸泡于纳米金刚石溶液中，使其表面电性吸附纳米金刚石；重复若干次吸附纳米金刚石步骤，重复结束后得到附着纳米金刚石的样品；将附着纳米金刚石的样品表面吹干，吹干后放入微波等离子体化学气相沉积设备中进行生长，生长结束后进行原位退火获得镀膜的碳化硅。本发明在SIC单晶表面镀膜金刚石膜，在不影响SIC原有用途
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117684157A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202410103201.8
(22)申请日2024.01.25
(71)申请人化合积电（厦门）半导体科技有限公
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