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本发明涉及氮化铝单晶生长技术领域，具体公开一种大尺寸氮化铝籽晶及其生长方法。本发明使用钨电阻炉作为生长系统，以钨作为衬底，以氮化铝烧结体作为原料，生长系统纯净，原材料杂质含量低；使氮化铝晶体在粗糙度较高的凹槽处自发形核，氮化铝优先在凹槽底部沉积，而凹槽的两个侧壁限制了非垂直方向上氮化铝晶粒的生长，使生长于凹槽区域的氮化铝晶粒的取向均垂直于钨衬底的表面；结合氮化铝自身晶体存在优异的横向自蔓延生长特性，可有效提升氮化铝籽晶的择优取向和结晶质量，且均一性较好。通过控制氮化铝籽晶生长结构及生长条件，使氮
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117684271A
(43)申请公布日2024.03.12
(21)申请号202311753084.1
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研
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