CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法.pdfVIP

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2024-03-13 发布于四川
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CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法.pdf

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本发明提供一种CMOS工艺中P型多晶硅电阻和p型扩散区电阻反向调节方法，形成P型扩散区电阻的扩散区；形成P型多晶硅电阻的多晶硅结构；在CMOS工艺源漏区离子注入的过程中，在扩散区和多晶硅结构上注入能量为8keV的氟离子；在多晶硅结构上覆盖一层SAB结构，并将多晶硅结构的两端露出；在扩散区上覆盖一层SAB结构，并将扩散区的两端露出；在多晶硅结构两端露出的部分和扩散区两端露出的部分分别形成接触孔。本发明通过在MOSFET器件源漏区域形成过程中调整联合注入氟离子的能量，同时改变P型多晶硅中晶粒尺寸和扩

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112038293A

(43)申请公布日2020.12.04

(21)申请号202010878375.3

(22)申请日2020.08.27

(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司

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