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一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法.pdfVIP

一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法.pdf

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    本申请公开了一种氮化镓异质结材料及其外延生长方法，涉及半导体单晶薄膜技术领域。所述材料结构自下而上包括：SiC衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、δ掺杂层、InGaN插入层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；所述材料采用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上外延制备。InGaN插入层能够形成第二沟道，并提高背势垒高度，增强二维电子气限域性。δ掺杂层能够提高第二沟道载流子浓度，提升器件的电流及跨导宽度，从而提高功率放大器线性度。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712159A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311537736.8

    (22)申请日2023.11.17

    (71)申请人中国电子科技集团

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