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- 2024-03-16 发布于四川
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本发明涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，其中，太阳能电池的制备方法包括：在硅片基底上形成隧穿氧化层；在隧穿氧化层上形成纳米非晶硅层；在纳米非晶硅层上形成第一掺杂非晶硅层；在第一掺杂非晶硅层上形成掺杂源层；通过选择性掺杂，将掺杂源层的掺杂元素注入第一掺杂非晶硅层与金属栅线对应的区域，形成重掺杂区域，并通过退火处理使第一掺杂非晶硅层形成掺杂多晶硅层；去除掺杂源层。本发明用以解决现有技术中对硅片基底造成损伤，不利于提高电池效率的缺陷，通过在掺杂多晶硅层上形成重掺杂区域，避免对硅片基底进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117712188A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202211086254.0
(22)申请日2022.09.06
(71)申请人三一硅能（株洲）
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