1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

基于凹槽沟道结构的P型单层WSe2场效应晶体管制备.pdfVIP

  • 19
  • 0
  • 约1.22万字
  • 约 7页
  • 2024-03-16 发布于四川
  • 举报

基于凹槽沟道结构的P型单层WSe2场效应晶体管制备.pdf

    本发明涉及半导体场效应晶体管技术领域，公开了基于凹槽沟道结构的P型单层WSe2场效应晶体管制备，包括如下步骤：通过化学气相沉积技术在衬底上生长多层WSe2；通过电子束曝光、隔离区反应离子刻蚀、源漏电极沉积工艺，制备得到多层P型WSe2背栅场效应晶体管；通过重复反应离子刻蚀工艺，将沟道区域的WSe2材料逐层减薄到单层。本发明采用的凹槽沟道结构制备工艺具有自对准刻蚀的优点，同时凹槽沟道结构将多层WSe2和单层WSe2集合在同一晶体管中，在维持器件高开关比的情况下显著降低了器件的接触电阻，用以解决现有

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117712152A

    (43)申请公布日2024.03.15

    (21)申请号202311817584.7

    (22)申请日2023.12.27

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >