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本发明涉及全环绕栅场效应晶体管技术领域，特别是一种基于黑磷烯纳米带束的GAA器件及其制备方法，该GAA器件的制备包括以下步骤：提供衬底；在衬底表面形成多晶硅缓冲层，在多晶硅缓冲层表面沉积栅介电层；刻蚀栅介电层以形成纳米阵列，在纳米阵列的间隙中生长黑磷烯纳米带作为黑磷烯纳米带束沟道层；在黑磷烯纳米带周围沉积介电层；在介电层周围沉积栅电极，并平坦化栅电极表面；刻蚀黑磷烯纳米带束沟道层以形成源极区域及漏极区域，并在源极区域制作源极，在漏极区域制作漏极。本发明将黑磷烯纳米带束作为沟道材料应用于GAA器件
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711945A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311730965.1
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人陕西科技大学
地址710021
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